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成都 -郫都区 · 本科 · 1年及以上 ·年龄不限·招1人

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成都高投芯未半导体有限公司

岗位职责

岗位要求:1、本科及以上学历,电子信息工程、电力电子等相关专业,有较好的热力学理论基础;2、功率模块结构设计开发经验2年以上,熟悉MOSFET、IGBT、FRD、SICMOS、SICSBD等功率半导体器件的开发流程;3、熟练使用Solidworks、Inventor、Spaceclaim、UG、Pro/E等至少一款3D设计软件,熟练使用AutoCAD软件;4、了解IGBT/SIC功率模块工作原理,对IGBT芯片特性、功率模块内部布局、功率模块关键组成材料特性有深入理解;5、掌握功率模块的设计约束,对于电气、热性能、可靠性有清晰认知;6、具有非常清楚的逻辑思维,良好的协调沟通能力,能够承受一定的工作压力。岗位职责:1、根据市场需求和产品规划,负责工控级、汽车级模块外形的布局和结构设计,焊线图设计,负责关键材料选型;2、相关专利文件撰写及申请;3、负责建立模块、器件的三维模型以配合设计仿真需求;4、负责维护功率模块领域的研发数据库和设计规则、检查表;5、负责功率半导体器件新技术、新标准、新工具和新方法学的研究及开发;6、参与研发项目管理和客户应用支持。职能类别:封装工程师关键字:solidworks电气结构设计ug电子信息工程pro/eigbtmosfet可靠性三维模型

工作地址

成都-郫都区 (成都-郫都区康强三路1111号) 查看地图

 

成都高投芯未半导体有限公司

成都高投芯未半导体有限公司设立于2022年1月,注册资本1亿RMB,是由成都高新投资集团有限公司和成都森未科技有限公司共同出资设立的国有控股公司,致力于成为国际领先的集成功率器件制造服务商。 ...展开

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